日本NTT下一代通讯基础架构IOWN关键在于光电融合元件，也就是半导体芯片中的信号传输以光取代电的新型元件。NTT已决定，光电融合元件的试作产线将在2025年度（2025/5~2026/3）开始生产。
日刊工业新闻（Nikkan Kogyo）报导，NTT在2023年6月成立子公司NTT Innovation Device，并将在同年8月与NTT旗下的光学电子零组件与通讯机器子公司NTT Electronics进行整合。
NTT Innovation Device将负责下一代IWON通讯架构中的光电融合元件，包括建立试做产线，产线设置地点可能在NTT Innovation Device内或其他新据点。
光电融合元件的量产，事前准备预计在2027年度（2027/4~2028/3）完成，2029年度投产，同年度营收目标2,000亿日圆（约14亿美元）。光电融合元件要自行量产或者委外代工，尚未完全定案。
NTT曾表示，光电融合元件的生产可能与Rapidus合作。NTT也是Rapidus于2022年8月成立时最早的8家日厂投资者之一，NTT出资10亿日圆。
负责NTT技术策略发展的副社长川添雄彦表示，光电融合的重点在于封装，Rapidus目前的目标是2纳米，下一步将是光电融合，结合电讯处理后的数据以光传输的技术即光电融合，将可大幅节约耗能与运算时间。
负责光电融合元件的NTT Innovation device，将在某种程度上从事制造，不会成为完全的IC设计公司，从理论、设计到制造，并制作出元件的完成品，都要自行进行实证。
光电融合元件首先将确立后段制程技术，包括从晶圆上切割并取出芯片然后进行封装的制程。目前NTT正在进行与后段制程厂商的合作，以推动量产计划。
本文链接：http://www.mocany.com/showinfo-1-24415-0.htmlNTT光电融合元件 预计2025年度试作
