2月27日消息，今天，三星电子官方宣布，成功开发出业界首款36GB 12H（12层堆叠）HBM3E DRAM，巩固了在高容量HBM市场的领先地位。
通过采用TSV技术，三星将24Gb DRAM芯片堆叠到12层，从而实现业界大的36GB HBM3E 12H容量。
据介绍，HBM3E 12H能够提供高达1280GB/s的带宽和迄今为止大的36GB容量，相比于前代8层堆叠的HBM3 8H，在带宽和容量上提升超过50%。
同时三星还通过先进的TC NCF（热压的非导电薄膜）技术使12H产品与8H产品具有相同的高度，能够满足HBM封装规格。
先进TC NCF技术的应用在增加HBM堆栈数量的同时，还大限度地减少了由于芯片变薄而可能发生的“翘曲现象”，有利于高端堆叠扩展。
此外三星还不断降低NCF材料的厚度，实现了业界小的7微米的芯片间距，实现了比HBM3 8H高出20%以上的垂直整合。
三星表示，HBM3E 12H有望成为使用AI平台的各种公司的佳解决方案，与HBM3 8H相比其AI训练速度平均提高34%，同时推理服务用户数量也可增加超过11.5倍。
目前三星电子已开始向客户提供HBM3E 12H的样品，并预计今年上半年量产。
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