【强化】韩国发布半导体未来技术路线图；华人主导的企业率先发布3D DRAM技术；日韩拟强化半导体领域双向投资合作-莫卡妮生活网-记录每日创新科技时尚娱乐生活Mocany

1.韩国发布半导体未来技术路线图确保存储及代工的“超级差距”；

2.华人主导的企业率先发布3D DRAM技术，有望大幅提高内存容量；

3.再释亲善信号，日韩拟强化半导体领域双向投资合作；

4.西部数据：存储芯片复苏放缓，Q4将表现疲软；

5.打破恩智浦垄断：越来越多中国公司涌入射频前端领域；

6.日本芯片测试设备制造商加大3D IC和电动汽车检测设备投资

1.韩国发布半导体未来技术路线图确保存储及代工的“超级差距”

，据韩联社报道，韩国政府计划未来10年保持存储和代工行业在半导体领域的“超级差距”，以及系统半导体领域的“新差距”，发布未来核心技术发展蓝图。

报道称，韩国科学与信息通信技术部5月9日公布了未来半导体技术路线图，并成立了由三星、SK海力士等代表组成的未来半导体技术公私合作咨询机构。

其新颁布的45项核心技术的路线图包括：新设备存储器和下一代设备的开发；人工智能、第6代移动通信（6G）、电力、汽车半导体设计的原始技术开发；超高性能原始工艺技术的开发微型化和先进封装等，目标是获得相关技术10年。

在新器件领域，计划重点培养铁电器件、磁性器件和忆阻器三大未来器件技术，开发下一代存储器件。

在设计领域，其设定的目标是首先支持AI、6G、电源等下一代半导体设计技术，并在2025年后通过韩国政府对汽车半导体的大力支持实现未来出行。

在工艺领域，决定发展原子层沉积、异质集成、三维（3D）封装等技术，增强晶圆代工竞争力。

此前，韩国科学和信息通信技术部强调，自去年5月以来，产学官共同制定了路线图，并在韩国首次制定了半导体技术发展蓝图。

韩国不断致力于本土半导体技术发展，上个月，韩国政府宣布了“三大技术超级差距研发战略”，将投资160万亿韩元用于确保半导体、显示器和下一代电池的技术。

2.华人主导的企业率先发布3D DRAM技术，有望大幅提高内存容量

，据外媒报道，由华裔半导体技术专家Andy Hsu创办的3D存储器开发商NEO Semiconductor日前宣布推出突破性的3D DRAM技术，这一名为3D X-DRAM的技术号称是全球首款类3D NAND的DRAM单元阵列，旨在解决DRAM的容量瓶颈，有望取代传统2D DRAM产品。

NEO Semiconductor创始人兼首席执行官Andy Hsu表示：“3D X-DRAM将成为半导体行业未来绝对的增长动力，今天我可以自信地说Neo正在成为3D DRAM市场的明显领导者。与当今市场上的其他解决方案相比，我们的发明非常简单，制造和规模化成本更低。通过我们的3D X-DRAM，业界有望每十年实现8倍的密度和容量提升。”

报道称，NEO Semiconductor的方案是首款基于无电容器浮体单元技术的类3D NAND DRAM单元阵列结构。与行业巨头和学术机构提出的3D DRAM技术相比，它可以使用现有3D NAND工艺制造，其垂直结构简化了工艺步骤，提供了一种高速、高密度、低成本、高良率的解决方案。根据该公司估计，3D X-DRAM技术可以通过230层实现128 Gb的密度，这是当今DRAM密度的8倍。

3.再释亲善信号，日韩拟强化半导体领域双向投资合作

，据外媒报道，在日韩两国领导人同意加强在打造半导体供应链方面的合作后，双方阁僚层面官员也紧锣密鼓释放合作善意，日本经济产业大臣西村康稔在5月9日的内阁会议后记者招待会上表示，有必要与韩国在半导体稳定供应方面深化合作，这是事关经济安全的重要问题。

西村表示，日本和韩国的半导体产业已经建立了互惠互利的关系，日本汽车制造商使用韩国半导体产品的例子有很多，“日本公司在半导体制造设备和材料方面非常有竞争力，通过利用其设备和材料，韩国公司在存储和逻辑芯片领域拥有非常高的国际市场份额”。

西村还说：“具有世界一流实力的私营公司共同努力，使半导体供应链更具弹性，这一点非常重要”。据称合作具体措施将根据民间企业需求与韩方协商。

在西村表态的同时，据韩媒报道，韩日ICT相关产业部门也启动了到年底前成立部长级定期协商机制的相关准备工作，韩国部长级官员朴允圭（音译）为此将于本月底访日，与日方举行工作会谈。

4.西部数据：存储芯片复苏放缓，Q4将表现疲软

，据路透社报道，存储芯片公司西部数据日前公布财报显示，第三季度营业收入为28亿美元，超过了预期的27亿美元。但西部数据预测第四季度收入将低于华尔街的预期，且亏损更大，这表明随着云支出的削减，存储芯片需求需要更长的时间才能恢复。

西部数据预计第四季度营收在24亿美元至26亿美元之间。根据Refinitiv的数据，分析师预计收入为28.6亿美元。

西部数据表示，在艾略特管理公司（Elliott Management）推动分拆闪存和硬盘业务后，西部数据正在探索拆分闪存和硬盘业务。西部数据称，第三季度这两个部门的收入分别较上年同期下降了约42%和30%。此外第三季度西部数据云部门的收入下降32%至12.1亿美元。

报道称，由于电子产品需求下降和供应过剩的综合影响，去年率先出现芯片供应过剩的内存行业受到芯片价格下跌的重创。虽然内存芯片制造商一直在削减产量，以缓解供应过剩、支撑内存芯片价格，但疲软的全球经济前景让复苏变得遥不可及。

希捷上个月也曾表示，将出现“更长时间的客户库存调整”，预计将在2023年底前开始需求复苏。

包括英特尔公司在内的各家芯片制造商都表示，云支出正在减弱。

5.打破恩智浦垄断：越来越多中国公司涌入射频前端领域

，随着移动流量呈指数级增长，运营商持续投资5G网络。到2022年底，移动市场拥有12.3亿部智能手机和690万部无线电设备，其中超过6亿部智能手机和近150万部无线电设备是5G。据Yole Group旗下的Yole Intelligence称，中国移动网络运营商在2022年继续快速推出BTS，占全球BTS部署的一半。印度运营商正在雄心勃勃地部署5G网络。这将导致无线电单元部署在2023年达到顶峰，全球部署超过750万个单元。

一些参与者脱颖而出，占据了显着的市场份额，包括NXP（恩智浦）、Qorvo、SEDI和ADI。NXP是无可争议的领导者，在整个RFFE市场中占有35%的市场份额。然而，随着未来几年预期的市场增长，我们可能会看到其他参与者在基础设施领域产生可观的收入。

Yole Intelligence电源和无线部门RF活动的团队首席分析师塞德里克·马拉金表示，“宏BTS的RFFE市场在2022年达到32亿美元，预计到2028年将增长到38亿美元。到2023年，我们预计数量和价值将显着增长，这主要受印度5G网络推出的推动。此外，在大规模MIMO天线普及率更高的支持下，预计市场数量将继续增长。”

Sub-6 GHz小型基站和5G毫米波有很多潜在用例，但这些技术难以渗透市场。增长缓慢是因为业界正专注于C波段大规模MIMO部署。尽管如此，我们预计小型基站将稳步增长，并从2024年开始大幅增加。小型基站和毫米波无线电的RFFE市场预计到2028年将超过4亿美元。

Yole Intelligence射频和无线通信技术和市场分析师Cyril Buey博士表示，“在系统层面，华为、爱立信、诺基亚、中兴和三星这五家老牌厂商通过在其RAN产品组合中进行重大创新以优化系统尺寸和能效，继续巩固其领先地位。由于在中国的大规模部署，华为和中兴通讯增加了市场份额，三星正在利用其早期采用的v-RAN和O-RAN战略。”

Open-RAN和网络虚拟化为NEC和富士通等二级供应商乃至Mavenir或Airspan等规模较小的供应商带来了重大机遇。三星和 NEC 等公司渴望占领这个市场的重要部分，预计到2025年将获得高达25%的年度RAN市场份额。小型基站和毫米波市场也为新进入者提供了令人兴奋的机会。

4G/5G无线基础设施的RFFE市场相当分散，形成了一个复杂的技术生态系统，并且由于众多参与者的参与而变得更加复杂。由于5G，该行业最近发生了技术颠覆：一个分散的市场开始在大型参与者的背后反弹。

中美贸易战正在分裂中国与世界其他地区之间的供应链。因此，中国正在加速本土供应链的发展，越来越多的公司涌入射频前端领域。

6.日本芯片测试设备制造商加大3D IC和电动汽车检测设备投资